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元器件采购网 > S-399页 > FET - 单SI1013R-T1-GE3

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SI1013R-T1-GE3

SC-75A Vishay Siliconix 30168 鐢佃瘽锛�0755-83217923
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SI1013R-T1-GE3参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
包装数量:3000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):350mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 350mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装

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